九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻


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表面物質学

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准教授 中川 剛志
表面物質学

デバイスの微細化が進み固体表面の制御が重要となっているが、物質の表面は内部と異なった構造・物性を示すことが多い。本研究室では、固体表面の構造を原子レベルで解き明かし、機能性表面新物質の設計・製作を行い、物性評価へと展開することを目標としている。このため、低速電子回折(LEED)、走査トンネル顕微鏡(STM)、電界イオン顕微鏡(FIM)などの原子レベルの表面構造解析に適した装置を用いて研究を行っている。


○ 半導体表面上の酸化シリコンや金属上の表面規則合金などの構造解析。

○ タングステンなどの針先端の原子レベル尖鋭化。

○ 表面微小領域の構造解析法の開発と原子ごとの物性・反応性評価。


右図はLEEDで構造決定したSiC(0001)上の酸窒化シリコン膜の構造モデル。

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