Si(001)清浄表面の低温における電子線照射効果
Si(001)清浄表面の構造解析と、低温における電子線照射効果の解明を行いました。

 Si(001)清浄表面の最安定構造であるc(4x2)の構造パラメータの詳細を低速電子回折により決定しました。
図1にその構造モデルを示します。
図1.低速電子回折により決定したSi(001)-c(4x2)清浄表面の構造モデル。
 Si(001)清浄表面を40 K以下の低温で観察すると、電子線照射効果により図2のようにc(4x2)構造が乱されて
いくことを見出しました。このような変化は40 K以下の低温でしか観察されません。
電子線照射効果の電流依存性、電子線エネルギー依存性、温度依存性などを測定して、その起源を解明しました。
図2.20 KにおけるSi(001)-c(4x2)清浄表面のLEEDパターン。(a)は観察直後、(b)は観察開始から1分後。
 
【論文】
Electron-Beam-Induced Disordering of the Si(001)-c(4x2) Surface Structure. Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 195502. 
Structure determination of Si(001)-c(4x2) surfaces at 80 K and electron beam effect below 40 K, studied by LEED. Phys. Rev. B 69 (2004) 241306(R). 
Ground state of the Si(001) surface revisited - is seeing believing? Prog. Surf. Sci. 76 (2004) 147-162. 
Structural analysis of the c(4x2) reconstruction in Si(001) and Ge(001) surfaces by LEED. Surf. Sci. 600 (2006) 815-819.

【解説】
低温での電子線照射によるSi(001)-c(4×2)構造の変化. 表面科学 26 (2005) 480-485.
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