水野・中川研　研究紹介

• シリコンカーバイド表面の安定な酸窒化シリコン超薄膜の作製
• 電界誘起酸素エッチングによるタングステン針先端の先鋭化
  ☆以下は映像のダウンロード(ファイルサイズが大きいのでご注意ください）
  • 電界誘起酸素エッチング（4.4 MB）
    約1時間の実験のうち、急激な変化の起きた部分を取り出してリアルタイム表示しています。
  • 電界誘起酸素エッチング２（4.2 MB）
    針を斜め方向に向けた場合です。最後は極低バイアス電子放出状態。
  • 電界蒸発（1.5 MB）
    電界誘起酸素エッチングで先鋭化した針からタングステン原子を電界蒸発させる様子。
• Si(001)清浄表面の低温における電子線照射効果
• 金属表面上の複雑なアルカリ吸着構造の決定
• 低速電子回折強度測定システム